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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 11:29 Sa 12.11.2011 | | Autor: | qetu |
| Aufgabe | Zeichne für einen nMos-Transistor das folgende Diagramm:
[mm] $I_{DS}$ [/mm] als Funktion von [mm] $U_{GS}$ [/mm] für die Werte [mm] $U_{DS}=\{0V, 1V, 2V, 3V\}$
[/mm]
[mm] $\beta=200*10^{-6} A/V^{2}$ [/mm] und [mm] $U_{th}=1V$ [/mm] |
Ich habe diese Frage in keinem Forum auf anderen Internetseiten gestellt.
Hallo zusammen,
ich hoffe ich bin hier im richtigen Forenbereich gelandet...
Ich steige bei dieser Aufgabe überhaupt nicht durch.
Ich habe die Formeln für den Sperrbereich, den Arbeitsbereich und den Sättigungsbereich.
Mein Vorgehen ist jetzt, in die Formel für den Arbeitsbereich meine gegebenen Werte einzusetzen und [mm] U_{GS} [/mm] "durchlaufen" zu lassen. Aber ich komme dann immer auf Geraden ud nicht auf die in meinem Lehrbuch abgebildeten Kurven...
[Dateianhang nicht öffentlich]
Ich hoffe, ihr könnt mir helfen...
Grüße
qetu
Dateianhänge:
Anhang Nr. 1 (Typ: jpg) [nicht öffentlich]
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 14:05 Sa 12.11.2011 | | Autor: | Infinit |
Hallo qetu,
so verkehrt erscheint mir das gar nicht. Für Ugs größer als Uth, da hier ja nur 1 V beträgt, arbeitest Du im linearen Bereich, wobei Uds die Steilheit der Kennlinie vorgibt. Der nMOS-Transistor verhält sich hier wie ein spannungsgesteuerter Widerstand.
Viele Grüße,
Infinit
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