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Kondensator: Frage (überfällig)
Status: (Frage) überfällig Status 
Datum: 15:30 Do 17.09.2009
Autor: SergeiP

Aufgabe
Betrachtet werden soll ein DRAM mit einer Speichermatrix mit 256 Zeilen und 256 Spalten. Eine Speicherzelle benötigt auf dem Chip 10 μm x 20 μm (Spalten- x Zeilenabstand). Die Kapazität CZ einer Zelle beträgt ca. 0,05 pF, ihr parasitärer Leitwert GZ ca. 10 pS. Der Kapazitätsbelag der Zuleitungen kann mit C’L = 0,1 pF/mm
angenommen werden.

Die Speicherzelle wird mit einer Versorgungsspannung von  UB = 5 V betrieben. Nehmen Sie an, dass diese Spannung unmittelbar nach dem Refresh an der
Speicherkapazität anliegt. Die Speicherzelle soll für eine Refresh-Zykluszeit von tR = 4 ms ausgelegt werden.

Auf welchen Wert sinkt die Spannung am Speicherkondensator
innerhalb einer Refresh-Zykluszeit ab?


Ich bin meine Unterlagen nun komplett durchgegangen und finde nichteinmal einen Ansatz.
Kann mir jemand weiterhelfen?



Mfg Sergei




Ich habe diese Frage in keinem Forum auf anderen Internetseiten gestellt.
        
Bezug
Kondensator: Fälligkeit abgelaufen
Status: (Mitteilung) Reaktion unnötig Status 
Datum: 16:20 Sa 19.09.2009
Autor: matux

$MATUXTEXT(ueberfaellige_frage)
Bezug
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